C.I 2SB 817 - TuVoltio

C.I 2SB 817

Ref: 01000

C.I 2SB 817

Marca: ST

Ref: 01000

$ 1.350

Descripción

Transistor de silicio (BJT) PNP, amplificaciones de potencia.

FICHA TECNICA

Voltaje máximo VCEO colector-emisor

160 V

Voltaje máximo base-emisor (Máximo)

6 V

Corriente máxima de colector

12 A

Ancho de bada de trabajo

15 MHz

Rango de temperatura de operación

-40 °C a 150°C

Potencia de disipación máxima

100W

Marca

ST

Detalles del producto

Voltaje máximo VCEO colector-emisor

160 V

Voltaje máximo base-emisor (Máximo)

6 V

Corriente máxima de colector

12 A

Ancho de bada de trabajo

15 MHz

Rango de temperatura de operación

-40 °C a 150°C

Potencia de disipación máxima

100W

Marca

ST

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