C.I 2SB 817
Ref: 01000
C.I 2SB 817
Marca: OTROS
Ref: 01000
$ 1.350
Descripción
Transistor de silicio (BJT) PNP, amplificaciones de potencia.
FICHA TECNICA
Voltaje máximo VCEO colector-emisor
160 V
Voltaje máximo base-emisor (Máximo)
6 V
Corriente máxima de colector
12 A
Ancho de bada de trabajo
15 MHz
Rango de temperatura de operación
-40 °C a 150°C
Potencia de disipación máxima
100W
Marca
OTROS
Detalles del producto
Voltaje máximo VCEO colector-emisor
160 V
Voltaje máximo base-emisor (Máximo)
6 V
Corriente máxima de colector
12 A
Ancho de bada de trabajo
15 MHz
Rango de temperatura de operación
-40 °C a 150°C
Potencia de disipación máxima
100W
Marca
OTROS